| 型号：BSZ042N06NS | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：8-PowerTDFN | 描述：MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 19A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.8V @ 36µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 92nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 2000pF @ 30V |
| 功率_最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
| 包装 | 散装 |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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| 深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
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