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电子元器件详细资料 » IC[11402] » BSZ042N06NS
型号:BSZ042N06NS类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN描述:MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C19A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.2 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.8V @ 36µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs92nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2000pF @ 30V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8
包装散装

供应商

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深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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