型号:BSZ042N06NS | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:8-PowerTDFN | 描述:MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 19A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.2 毫欧 @ 20A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.8V @ 36µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 92nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2000pF @ 30V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
包装 | 散装 |
供应商
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司 | 刘18674491576 |
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
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